三星能不能自主生产闪存芯片，三星存储芯片市场份额

三星正准备扩大在中国的投资。陕西省政府平台近日发布的信息显示，三星（中国）半导体公司于2022年10月21日申请了《三星（中国）半导体公司12英寸闪存芯片M-Fab项目》，申请状态为“已批准”。

三星（中国）半导体公司落户西安以来，持续加大投资力度。三星（中国）半导体公司一期工程于2012年9月开工建设，实际投资108.7亿美元，于2014年5月竣工投产。 2017年8月，三星（中国）半导体投资70亿美元在西安建设二期12英寸闪存芯片项目。 2019年12月，三星（中国）半导体决定追加投资80亿美元扩建二期项目，预计2021年全面竣工投产。据2022年2月《陕西日报》报告显示，三星（中国）半导体二期项目建成投产后，三星（中国）半导体闪存芯片产能将全球第一，占比超过10%芯片产能。据悉，这个12英寸闪存芯片M-Fab项目是一个扩建项目。

三星（中国）半导体12英寸闪存芯片M-Fab项目总投资216亿元，计划于2023年1月开工建设，建设地点位于综合保税区1999号西安高新城小河北路。本项目利用已建成的12英寸闪存芯片生产线及辅助设备的优势，通过新的生产工厂引进主要工艺设备和设备，扩建12英寸10Xnm级NAND存储器生产线，以及第6代（V6）NAND产品。届时产量将增加2.8万台/月，建成后三星二期项目产能将达到16.9万台/月。工商信息显示，三星（中国）半导体公司成立于2012年9月3日，注册资本86.23亿美元，注册地址为西安高新区，三星电子有限公司股东。有限公司有限公司拥有100%的股份。财务数据显示，三星（中国）半导体2022年上半年营业利润为4.86万亿韩元，净利润为3216.4亿韩元。